一、氮化嫁（GaN）定义氮化镓材料定义：氮化镓(GaN)主要是由人工合成的一种半导体材料，禁带宽度大于2.3eV，也称为宽禁带半导体材料。氮化镓材料为第三代半导体材料的典型代表，是研制微电子器件、光电子器件的新...
第九届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会 暨第三代半导体产业融合创新发展论坛于2023.11.23-25在广州召开，我司出席此次会议，展位号为：B21，欢迎新老朋友莅临交流。 &nb...
一、2023年11月23～25日第九届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会暨第三代半导体产业融合创新发展论坛在广州举行，太阳集团tyc33455官网也将出席此次会议并设展位，展位号：B21，届时欢迎您的莅临交流！大会背景：为紧跟...
第四届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM 2023)在北京朗丽兹西山花园酒店如期举行，为期3天的会议于2023.11.10日圆满闭幕。会议聚焦宽禁带半导体相关材料及器件多学科主题，邀请全球60余位知名专家学者...
第四届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM 2023)将于2023年11月08日-10日在中国首都-北京盛大召开，会议将聚焦宽禁带半导体相关材料及器件多学科主题，邀请全球60余位知名专家学者、企业领袖、资本机构，通过...
10月31日，太阳集团tyc33455官网（以下简称CGB）一批双八寸SiC全自动清洗设备及首台套自动供给系统顺利完成调试如约交付。该设备为我司自主研发的专利产品，专业应用于SiC衬底和SiC外延...
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